プレスリリース


トレンチMOS構造の採用により、背反するVFとIRを従来品から大幅改善!100V耐圧で業界最高クラス(※)のtrrを実現したSBD「YQシリーズ」を開発


トレンチMOS構造の採用により、背反するVFとIRを従来品から大幅改善!100V耐圧で業界最高クラス(※)のtrrを実現したSBD「YQシリーズ」を開発

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