プレスリリース

半導体と電子部品の幅広い品揃え(TM)と新製品投入（New Product Introduction: NPI）のリーディング・ディストリビュータであるMouser Electronics（マウザー・エレクトロニクス 本社：米国テキサス州マンスフィールド、以下マウザー）は、Skyworks Solutions（本社：米国マサチューセッツ州ウーバン、以下：Skyworks Solutions）の「Si828x-BAWB-KITゲート・ドライバ・ボード（XM3用）」の取り扱いを開始いたしました。
この製品は、複雑なパワー・ステージ・デザインをよりシンプルで費用対効果の高いソリューションに置き換えるための、Skyworksの次世代の絶縁型ゲート・ドライバ・ボード（GDB）はリファレンスデザイン（参照設計）であり、シリコンカーバイド（SiC）電界効果トランジスタ（FET）向けに最適化されています。

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「Si828x-BAWB-KITゲート・ドライバ・ボード（XM3用）」の詳細


この製品は、Wolfspeedの「XM3ハーフブリッジモジュール」などのシリコンSiC FETに最適な、拡張されたGDBレイアウトが備わっています。これはSkyworks GDBと協働して、ハイブリッド電気自動車、EVドライブトレイン、EV高速チャージャーなど要求の大きな自動車アプリケーション向けに、そして産業モータドライブ、電源供給、AC、ブラシレス、DCモータ制御向けに、電力密度と電力効率を大幅に改善します。

また、Skyworksの堅牢なGDB短絡保護機能とSiC XM3モジュールを組み合わせることにより、高電圧高電流のXM3モジュールを過負荷と回路損傷からより強力に保護します。これにより、システム電力のスイッチング段を簡単に実装が可能です。Si828xゲート・ドライバ・ボードは、負荷フォールトを検出して電源モジュールを1マイクロ秒以内にシャットオフすることにより、短絡事象の際にXM3電源モジュールを保護するように特別に設計されました。

2つの「Si828x絶縁ゲートドライバ」（Si8284とSi8285）をハーフブリッジ構成で搭載しています。このキットには2つが含まれ、ピーク出力電流は+20A/-30A、コモンモード過渡電圧耐性（CMTI）は125kV/sです。絶縁電圧は5kVです。Si828x-BAWB-KITには、FET用に非飽和検出とミラークランプ保護が備わっています。ステータスインジケータLEDとテストポイントにより、評価とプロトタイプ製作のプロセスが簡単になります。

XM3ハーフ・ブリッジ・モジュールは、標準的な62mmモジュールの半分の重量と体積でありながら、電力密度の高いフットプリントと低いインダクタンス（6.5 nH）を実現し、内蔵の温度センサと専用のDrain-Kelvinピンを備えています。XM3モジュールは、通電に最適化された第3世代のMOSFETテクノロジを採用して、SiCのメリットを最大限に高めながら、ループインダクタンスを最小限に抑え、シンプルな電源バスを実現します。これにより、堅牢性に優れ、シンプルで、費用対効果の高いシステム設計が維持されます。Wolfspeed XM3モジュールとSkyworks GDBを共に使用することで、以前のモジュールよりも電力密度が向上し、完全でテスト済みかつ実証済みのソリューションをマーケットに提供する個別アプローチを強化できます。

詳細は下記URLをご覧ください。
https://www.mouser.com/new/skyworks-solutions/skyworks-si828x-bawb-kit-gate-driver-board/


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プレスリリース提供：PR TIMES