プレスリリース

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2024年6月28日、株式会社シーエムシー出版（本社：東京都千代田区神田錦町1-17-1、代表取締役：辻賢司）は、半導体や化合物半導体の精密加工技術の動向を纏めた書籍「シリコンと化合物半導体の超精密・微細加工プロセス技術―工程別加工技術の基礎と最新動向―」(監修：土肥俊郎、曾田英雄　定価：税込99,000円)を発売します。本書籍は、当社ECサイトおよび全国の書店にてご購入いただけます。
目次などの詳細については以下をご覧ください。

https://www.cmcbooks.co.jp/products/detail.php?product_id=9440

刊行にあたって
本書では、現状の超精密加工処理・計測評価技術を確実に把握・理解できるようにと新たに企画したもので、半導体デバイスの基本材料「シリコン基板」とグリーンデバイスとして脚光を浴びているGaN,SiCなど「化合物半導体」を主対象にして、ウエハ化するためのスライシング技術、中間加工としてのラッピング・研削加工技術ならびにエッチング技術、そして最終加工と位置付けられるCMP技術と精密洗浄技術、実装技術に欠かせないダイシング技術などの各種の工程別加工技術を骨格としている。
更に、加工技術と車の両輪関係にある計測・評価技術を取り上げている。これらの加工技術を理解したうえで、現在各界から注目されている将来加工技術の事例を示した。
以上のように、加工工程別加工技術の基礎とその技術の最新動向について、著名な研究者・技術者が分かり易く執筆されているので、未来像と取り組むべき課題などが明確になるものと確信する。
本書が革新的進化を目指すための一助になれば幸甚である。
(本書「はじめに」より一部抜粋)

著者
土肥俊郎 　九州大学・埼玉大学 名誉教授/(株)Doi Laboratory
會田英雄　　長岡技術科学大学
諏訪部仁 　金沢工業大学
池野順一 　埼玉大学
山田洋平 　埼玉大学
岡本康寛 　岡山大学
岡田晃 　　岡山大学
田中敦之 　名古屋大学
宇根篤暢 　防衛大学校名誉教授
大森整　　 理化学研究所
池田洋 　　秋田工業高等専門学校
杉下寛 　　浜井産業(株)
阿部耕三 　ノイエテクノラボ
河田研治 　元・産業技術総合研究所
五十嵐健二　(株)東京精密
篠田和典 　(株)日立製作所
石川健治　名古屋大学
唐橋一浩 　大阪大学
田中浩 　　愛知工業大学
檜山浩國 　(株)荏原製作所
今井正芳 　(株)荏原製作所
青木利一郎　信越ポリマー(株)
河瀬康弘 　 三菱ケミカル(株)
束田充 　 旭ダイヤモンド工業(株)
など合計46名
目次
総論
【スライシング 編】
第1章　各種結晶材料のウエハ化切断法とその特徴
第2章　マルチワイヤソーによる半導体材料の切断加工
第3章　レーザスライシングによる半導体材料の精密切断
第4章　マルチワイヤ放電スライシング
第5章　レーザスライスによるGaN基板の切り出し加工
【ラッピング・研削 編】
第6章　ウエハのラッピングと研削加工の基礎・動向
第7章　ELIDによる研削と固定砥粒ラッピング
第8章　電界砥粒制御技術による高効率ラッピング技術
第9章　両面ラッピング装置と最新動向
第10章　大口径ウエハのラッピングと両頭研削の動向
第11章　SiCパワー半導体基板の研削/研磨加工
第12章　高剛性研削盤による難削材の最先端加工技術
【エッチング 編】
第13章　半導体製造プロセスにおけるエッチング技術の先端課題と開発事例
第14章　GaN系デバイスに向けたプラズマエッチング技術
第15章　反応性イオンエッチング・原子層エッチングの反応機構
第16章　シリコンおよび次世代デバイス材料のウェットエッチング加工
【CMP編】
第17章　ベアSiウェーハとデバイス化ウェーハのCMP技術の基本と動向
第18章　半導体デバイス製造におけるCMP(Chemical Mechanical Planarization)
第19章　CMPプロセスとスラリー・後洗浄技術のトレンド
第20章　CMP用パッドコンディショナ開発動向
第21章　CMP用のパッドと動向
第22章　SiC半導体のCMPとポリシングの課題
【精密洗浄 編】
第23章　精密洗浄の基礎と半導体ウェーハへの応用
第24章　CMPとそれに関わる洗浄技術
第25章　シリコンウェーハ表面の精密洗浄技術
【ダイシング 編】
第26章　薄片化デバイスの後工程プロセスとダイシングの動向
第27章　ブレードダイシングの基礎と今後の展開
第28章　プラズマダイシングによるダメージレス加工技術
第29章　ステルスダイシングの基礎と動向
【計測・評価編】
第30章　加工面性状の各種測定・評価法の分類と動向
第31章　AFMの測定原理と動向
第32章　白色干渉計を応用した表面粗さ・形状測定機(ZYGO)
第33章　光ヘテロダイン干渉を使用した表面粗さ・形状測定器
第34章　ナノインデンテーションを活用した材料特性評価
第35章　トライボロジー技術と評価の動向
第36章　粒子径・ゼータ電位・膜厚測定技術の原理と動向
第37章　ダイナミック電気化学測定評価装置と応用事例
【脚光を浴びる将来的加工技術 編】
第38章　将来の次世代加工技術を志向する加工技術開発の必要性・考え方
第39章　ガスクラスターイオンビーム(GCIB)加工技術の動向
第40章　固体電解質を用いた電気化学メカニカルポリシング

プレスリリース提供：PR TIMES