プレスリリース

5月26日開催の「次世代パワー半導体の高性能化と開発動向」セミナー！SiCの次の世代のパワー半導体として期待される酸化ガリウムの開発状況と今後の課題は!?

化学・電子工学などの技術・市場動向レポート発行やセミナー開催を行う、株式会社シーエムシー出版（本社：東京都千代田区、代表：辻賢司）は、5月26日(金)13:30〜16:40に「次世代パワー半導体の高性能化と開発動向」セミナーを開催します。新型コロナウイルス感染症の5類移行に伴い、2023年5月から東京都内を中心に会場を設け、産業技術セミナーを開催します。
今回は、xEVの更なる高性能化に向け、普及拡大が期待されるSiC/GaNデバイスの開発動向に着目したセミナーを予定しております。
受講料は定価：22,000円（税込）にて受付中です。当社ECサイトに会員登録していただくことで、会員価格：16,500円(税込)にてお申し込みいただけます。
セミナーの詳細については以下の当社サイトをご覧ください。
https://www.cmcbooks.co.jp/products/detail.php?product_id=9042
[画像: https://prtimes.jp/i/117216/15/resize/d117216-15-e1e02ebb6d4a0408f0f9-1.jpg ]

・開催日：2023年5月26日(金)
・開催時間：13:30〜16:40
・会場：(株)シーエムシー出版　セミナールーム
　　　　東京都千代田区内神田1-3-1　高砂ビル2F
・受講料：22,000円／1名（税込）※会員価格：16,500円／1名（税込）

セミナー詳細


13:30〜15:30
第1部　次世代パワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

【プログラム】
1.パワーエレクトロニクス・パワーデバイスの基礎
2.最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
3. SiCパワーデバイスの特性と最新技術
4. GaNパワーデバイスの最新技術と今後

15:40〜16:40
第2部　酸化ガリウムパワー半導体の特性と実用化への展望

【プログラム】
1. 酸化ガリウム (Ga2O3) の材料的特徴とポテンシャル
2. Ga2O3バルク融液成長技術の研究開発状況
3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術の研究開発状況
4. Ga2O3トランジスタの研究開発状況
5. Ga2O3ショットキーバリアダイオードの研究開発状況
6. まとめ、実用化への展望

プレスリリース提供：PR TIMES