プレスリリース

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アリゾナ州ツーソン（2021年11月18日）―　レイセオン・テクノロジーズの一部門であるレイセオン・ミサイルズ＆ディフェンスは、軍規格の窒化ガリウム（GaN）を製造するため半導体製造工場におけるプロセスをさらに強化しました。国防生産法（Defense Production Act、DPA）第三編（Title III）担当事業部との契約に基づいて製造されたGaNは、従来のものよりも性能が高く、コストも低く抑えられています。

本契約の成果には、新しい軍規格のGaNのフルレート生産が整ったことを示す製造技術成熟度（Manufacturing Readiness Level）レベル9の取得、レイセオン・テクノロジーズのGaNが実績と信頼性を維持しながら、性能、利得（ゲイン）、効率が向上されていることの実証、次世代ジャマーの生産コストの削減などが挙げられます。

2016年、国防生産法Title III担当事業部のエグゼクティブ・エージェントを務める米空軍研究所（AFRL）材料製造技術局は、Raytheonの先進テクノロジー・チームにGaN製造プロセスを強化するための契約を発注しました。

GaNは、高出力の無線周波数信号をマイクロ波周波数帯で効率的に増幅することで、システムの探知範囲やレーダーリソース管理の処理能力を向上させるとともに、サイズ、重量、電力、コストを削減することができる半導体材料です。ペイトリオット(R)からGhostEye™、SPY-6シリーズのレーダーまで、幅広い軍用レーダーや防衛システムに使用されています。

レイセオン・ミサイルズ＆ディフェンスの先進テクノロジー担当副社長コリン・ウィーラン氏は以下のように述べています。「GaNは、当社が製造するほぼすべての最先端防衛技術の根幹を成します。この製造プロセスを強化することで、あらゆる当社製品の脅威探知から撃墜に至るまでの能力を高めることができるのです」


※　この資料はレイセオン・ミサイルズ&ディフェンスが 2021年11月18日（現地時間）に発表したプレスリリースを日本語に翻訳・要約し、配信するものです。資料の内容および解釈については英語版が優先されます。
https://www.raytheonmissilesanddefense.com/news/advisories/raytheon-missiles-defense-advances-gallium-nitride-technology


レイセオン・ミサイルズ&ディフェンスについて
レイセオン・ミサイルズ&ディフェンスは、脅威を探知、追尾、迎撃できる革新的なパートナーとして、世界中のお客様に対し、最先端のエンドツーエンドのソリューションを提供します。防空ミサイル防衛システム、精密武器、レーダー、指揮統制システム、先進の防衛技術等、幅広い製品を携え、レイセオン・ミサイルズ&ディフェンスのソリューションは、世界50カ国以上の市民、軍人、インフラ基盤を守っています。

プレスリリース提供：PR TIMES