プレスリリース

〜 高温環境下での信頼性を保証する車載向け、産業機械向けの不揮発性メモリ 〜

富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は、125℃動作の4MビットFRAM「MB85RS4MTY」　の量産品提供を、今月から開始しました。
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https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/fram/device/spi-125c-4m-mb85rs4mty.html

本製品は、車載グレードと呼ばれる高品質規格AEC-Q100グレード1に準拠しており、高信頼性が要求される車載向けの先進運転支援システム(ADAS)や高性能産業用ロボットに最適なメモリです。


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FRAMは、「高書換え耐性（書換え保証回数が多い）」、「高速書込み」、「低消費電力」の3つの特長で優位性をもつ不揮発性メモリで、これまでに20年以上の量産実績があります。

当社は2017年7月に最初の125℃動作FRAMの量産を開始して以来、その製品ファミリーを拡大しています。 今回、その中でも最大メモリ容量となる4Mビット品「MB85RS4MTY」の量産を開始しました。


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本製品は、1.8V〜3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作する、SPIインターフェースのFRAMです。高温環境においても10兆回のデータ書換え回数および50MHz動作時でも4mA以下の書込み電流という低消費電力を保証しています。パッケージは、リード無し8ピンDFN (Dual Flatpack No-leaded package)にて提供します。

現在、EEPROMや低消費電力SRAMをご使用中のお客様が次のような課題をお持ちの場合には、当社のFRAMによって解決できる場合があります。


●お客様の課題と解決案


[画像4: https://prtimes.jp/i/48514/4/resize/d48514-4-157437-3.jpg ]


１）現状：　EEPROMをご使用の場合
　　課題：　データをもっと頻繁に記録したいが、最大100万回の書換え制限があるため難しい
　　解決案：10兆回の書換えを保証するFRAMを使用

２）現状：　EEPROMをご使用の場合
　　課題：　事故や停電のときに、書込み中のデータを保護する対策が必要
　　解決案：高速書込みにより、停電が起きてもデータ書換えが完了できるFRAMを使用

３）現状：　SRAMをご使用の場合
　　課題：　メンテナンスが面倒なSRAM用のバッテリーを無くしたい
　　解決案：不揮発性のFRAMを使用


つまり、FRAMへの置き換えによって、開発負担の低減、製品の高性能化、コストの削減などのメリットを期待することができます。
当社は、今後もお客様が要求するメモリ製品の開発を続けていきます。

●主な仕様
・製品名：　 MB85RS4MTY
・容量（構成）： 4Mビット（512K x 8ビット）
・インターフェース： SPI （シリアル・ペリフェラル・インターフェース）
・動作周波数：　　50MHz　（最大）
・動作電源電圧：　1.8V〜3.6V
・動作温度範囲：　-40℃〜＋125℃
・書込み/読出し保証回数：　10兆回
・パッケージ： 8ピンDFN
・品質規格： 　　AEC-Q100　グレード1準拠

●関連リンク
・富士通セミコンダクターメモリソリューション・トップページ
　https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/

・4MビットFRAM「MB85RS4MTY」製品紹介ページ
　https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/products/fram/device/spi-125c-4m-mb85rs4mty.html

プレスリリース提供：PR TIMES