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STマイクロエレクトロニクス

スイッチング周波数 20KHzで駆動する機器の電力効率を高める650V耐圧IGBTを発表

(PR TIMES) 2015年07月16日(木)10時00分配信 PR TIMES


[画像: http://prtimes.jp/i/1337/622/resize/d1337-622-254944-0.jpg ]



STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、空調設備のモータ、無停電電源装置、太陽光発電システム用コンバータなど、最大20kHzの周波数で駆動するハードスイッチング・トポロジの電力変換アプリケーションにおける電力効率を、短期間かつ低コストで高める新しい650V耐圧IGBTのMシリーズを発表しました。

電力損失の少ないSTの第3世代トレンチゲート・フィールドストップ技術を採用したMシリーズは、新しいトレンチゲートおよび特殊な設計のP-N-P垂直型構造を特徴としており、導通損失とスイッチオフ損失間の最適なトレードオフと、性能の大幅な向上を実現しています。また、最短6μsの耐短絡時間(接合部温度150℃時)、拡張された最大接合部動作温度範囲(最大175℃)および幅広い安全動作領域(SOA:Safe Operating Area)が、高い電力損失を特徴とするアプリケーションの長寿命化と信頼性向上を実現します。

さらに、このMシリーズは、新世代のフリーホイーリング・ダイオードが組み込まれたパッケージで提供されます。このダイオードは、ファスト・リカバリ用に最適化されていると同時に、低順方向電圧降下および緩やかな逆回復特性を維持します。これにより、卓越したEMI保護が実現でき、スイッチオン時の電力損失も低減されます。また、VCE(sat) の正温度係数に関し、パラメータ分布のばらつきが非常に小さいため、高容量が必要な場合の並列動作も安全です。

Mシリーズの特徴
・650V耐圧(競合する多くの製品は600V耐圧)
・低VCE(sat)(1.55V @25℃)による導通損失の最小化
・幅広いSOAとラッチアップの発生しない動作による卓越した堅牢性
・業界最高水準のEtotとVCE(sat) のトレードオフ
・最大接合部動作温度範囲:175℃
・高温時の最小短絡耐時間:6μs
・スイッチオフ時の過電圧の最小化と振動の除去

新しいMシリーズは、高周波駆動(最大60kHz)の産業機器向け650V耐圧IGBTであるHBシリーズを補完します。定格電流は10Aおよび30Aで、各種パワー・パッケージ(TO-220、D2PAK、TO-247 LL(長リード))で提供されます。現在、全品種を量産中で、STGP10M65DF2(10A、TO-220パッケージ)の単価は1000個購入時に約1.0ドルです。

詳細については、 http://www.st.com/igbt をご覧ください:

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2014年の売上は74.0億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト( http://www.st-japan.co.jp )をご覧ください。

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス(株)
インダストリアル&パワーディスクリート製品グループ
TEL: 03-5783-8270 FAX: 03-5783-8216

プレスリリース提供:PRTIMES

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