プレスリリース

半導体と電子部品の幅広い品揃え(TM)と新製品投入（New Product Introduction: NPI）のリーディング・ディストリビュータであるMouser Electronics（マウザー・エレクトロニクス 本社：米国テキサス州マンスフィールド、以下マウザー）は、Analog Devices及びBournsと共同で、窒化ガリウム（GaN）技術の課題と利点を探る新たなeBookを発表いたします。本eBookでは、GaN技術が効率性、性能、そして持続可能性の実現にどのように貢献するかに焦点を当てています。
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10 Experts Discuss Gallium Nitride Technologyでは、シリコンを上回る高効率、高速スイッチング、高電力密度を実現するGaN技術が、パワーエレクトロニクス分野にどのような革新をもたらしているのかを解説しています。GaN技術は自動車や産業、さらには家庭用電子機器や再生可能エネルギーなど、幅広い業界において影響を与える可能性を秘めています。本eBookでは、Analog Devices、Bourns、その他企業の専門家による洞察を通じて、GaN技術の利点や初めてGaNを設計する際に直面する課題、そしてシリコンからGaNへの移行を成功させるための最適な方法について解説しています。加えて、GaNコントローラやドライバ、パワーインダクタなど、Analog Devices及びBournsが提供する関連製品も紹介しています。

Analog DevicesのLTC7890/1同期降圧コントローラは、高性能な降圧型DC-DCスイッチング・レギュレータ・コントローラで、最大100Vの入力電圧からNチャネルの同期GaN FETパワーステージを駆動します。本製品は保護ダイオードやその他の外部部品が不要なため、シリコンMOS（金属酸化膜半導体）ソリューションに比べ、設計の大幅な簡素化が可能です。

Analog DevicesのLT8418は、トップ及びボトムのドライバステージ、ドライバロジック制御、保護機能を統合した100VハーフブリッジGaNドライバです。本製品はGaN FETのオン・オフ速度を調整できる独立したゲートドライバを搭載しており、リンギングの抑制とEMI性能の向上を実現します。
GaN技術の高いスイッチング周波数には、受動部品を慎重に選定する必要があります。Bournsは、PQフラットパワーインダクタ、CWP3230Aチップインダクタ、TLVR1105T TLVRインダクタなど、GaNの高周波動作に最適化された先進的な磁気部品を提供しています。これらの製品は、低インダクタンス、高電流定格、低放射を実現するシールド構造を特長としています。

BournsのHCTSM150102HLトランスは、強化絶縁、15mm以上の沿面距離と空間距離、7.64kV（2秒）の耐電圧性能を備えており、高電圧による危険から高いレベルの絶縁を提供します。本製品はフェライト・トロイダルコアを採用しており、高い結合係数と効率を実現しています。

最新「eBook10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology」は、以下をご覧ください。
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