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STマイクロエレクトロニクス

あらゆる環境下で高い信頼性を実現する放射線耐性を備えた電圧リファレンスICを発表

(PR TIMES) 2014年10月20日(月)10時25分配信 PR TIMES


STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、航空宇宙アプリケーション向けのRad-Hard製品ポートフォリオに、2品種のシャント電圧リファレンスIC(RHF1009A : 可変電圧 2.5〜5.5V、RHF100 : 固定電圧 1.2V)を追加しました。宇宙空間に存在する高レベル放射線へ耐性を持ち、同様の業界標準製品とピン互換性を有するこれらの電圧リファレンスICは、アメリカ国防兵站局(DLA)によるQML-V認定を取得しています。また、これらの製品は、欧州の宇宙船・衛星および関連装置メーカー向けに推奨部品を定義したEuropean Preferred Part List(欧州の推奨部品表)にも登録されています。

RHF1009AおよびRHF100は、高い信頼性を特徴とするSTのBiCMOS技術(250nm)を採用しています。この技術は、長期にわたるコンスーマ機器用製品の量産や、その他のRad-Hard製品(ADコンバータなど)を含む、要求の厳しい航空宇宙・車載・医療機器用の多様なICに採用されてきた実績があります。

優れた電気特性を持つ両製品は、低い温度係数(5ppm : 標準値)、レーザー・トリミングによる高い精度(±0.15%)、優れた部品間温度特性、幅広いカソード電流範囲(40μA〜12mA)を特徴としており、精度と安定性を維持すると同時に、柔軟性を実現しています。

また、両製品は、優れた電気特性と、トータル・ドーズ効果やシングル・イベント効果に対してクラス最高の放射線耐性を合わせ持っています。300kradまでELDRS (1) フリー(非常に高レベルな線量率下でも製品の主要パラメータは定数のまま)で、シングル・イベント・ラッチアップ(SEL)の影響を受けません(最大120 MeV.cm2/mg @ 125℃までSELフリー)。さらに、過渡的な電圧変化を引き起こすシングル・イベント・トランジェント(SET)が発生する可能性も低く抑えられています(SET断面積 < 3.10-4)。詳細なSETテスト・レポートは、入手可能です。

両製品は、ヨーロッパで設計・認証・製造され、詳細な特性評価データ、完全なマクロモデル(Pspice、Eldo、ADS)、およびデモボードも提供されています。

さらに詳しい情報については、http://www.st.com/web/jp/catalog/sense_power/FM137/SC1584 をご覧ください。

(1) Enhanced Low Dose Rate Sensitivity(ELDRS:低ドーズ率増速劣化)

STマイクロエレクトロニクスについて<br /> STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2013年の売上は80.8億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト( http://www.st-japan.co.jp )をご覧ください。

◆ お客様お問い合わせ先
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
品川インターシティA棟
STマイクロエレクトロニクス(株)
アナログ・MEMS・パワー製品グループ
TEL: 03-5783-8250 FAX: 03-5783-8216

プレスリリース提供:PRTIMES

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